Spausdinti puslapį
TSHG5510
Infrared Emitter, High Speed, 830 nm, 38 °, T-1 3/4 (5mm), 15 mW/Sr, 15 ns, 15 ns
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Galima užsakyti
Gamintojo nustatyta įprastinė užsakymo ciklo trukmė: 28 sav.
Pranešti man, kai bus sandėlyje
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 1,690 € |
| 10+ | 1,010 € |
| 25+ | 0,906 € |
| 50+ | 0,801 € |
| 100+ | 0,697 € |
| 500+ | 0,641 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
1,69 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.TSHG5510
Užsakymo kodas1779675
Techninės specifikacijos
Peak Wavelength830nm
Angle of Half Intensity38°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)15mW/Sr
Rise Time15ns
Fall Time tf15ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.45V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
MSL-
SVHCTo Be Advised
Produktų apžvalga
The TSHG5510 is a 830nm high speed Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power, high speed and moulded in a clear. This diode is suitable for high pulse current operation. It is suitable for use in infrared radiation source for operation with CMOS cameras (illumination), high speed IR data transmission.
- High reliability
- High radiant intensity
- ±38° Angle of half sensitivity
- Low forward voltage
- Good spectral matching with Si photo-detectors
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Peak Wavelength
830nm
Diode Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Rise Time
15ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
38°
Radiant Intensity (Ie)
15mW/Sr
Fall Time tf
15ns
Forward Voltage VF Max
1.45V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Techniniai duomenys (3)
Alternatyvos TSHG5510
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:To Be Advised
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000454