Spausdinti puslapį
VS-FC420SA10
MOSFET Transistor, N Channel, 435 A, 100 V, 0.0013 ohm, 10 V, 2.9 V, SOT-227
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.VS-FC420SA10
Užsakymo kodas3513307
Produktų asortimentasTrenchFET Series
Techninės specifikacijos
853 Sandėlyje
640 Galite rezervuoti pageidaujamą kiekį dabar
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 23,760 € |
| 5+ | 22,220 € |
| 10+ | 20,680 € |
| 50+ | 19,130 € |
| 100+ | 17,590 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
23,76 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.VS-FC420SA10
Užsakymo kodas3513307
Produktų asortimentasTrenchFET Series
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id435A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.00215ohm
On Resistance Rds(on)0.0013ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation Pd652W
Power Dissipation652W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
SVHCTo Be Advised
Produktų apžvalga
VS-FC420SA10 is a power module single switch power MOSFET.
- ID <gt/> 420A, TC = 25°C, TrenchFET® power MOSFET
- Low input capacitance (Ciss), reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge (Qg), avalanche energy rated (UIS)
- UL approved file E78996
- Drain to source voltage is 100V max (TC = 25°C)
- Static drain to source on-resistance is 1.3mohm typ (VGS = 10V, ID = 200A, TJ = 25°C)
- Continuous drain current, VGS at 10V is 435A max (TC = 25°C)
- Insulation voltage (RMS) is 2500V max (any terminal to case, t = 1 min, TC = 25°C)
- Rise time is 275ns typ (VDD = 50V, TJ = 25°C), fall time is 172ns typ (VDD = 50V, TJ = 25°C)
- SOT-227 package, operating junction temperature range from -55 to +175°C
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
435A
Drain Source On State Resistance
0.00215ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
652W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0013ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
Power Dissipation
652W
Product Range
TrenchFET Series
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:To Be Advised
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.04
Produkto kilmės atsekamumas