Spausdinti puslapį
VSMB1940X01
Infrared Emitter, 940 nm, 60 °, 0805, 6 mW/Sr, 15 ns, 15 ns
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.VSMB1940X01
Užsakymo kodas1779752
Produktų asortimentasGaAlAs Double Hetero IR Diode
Techninės specifikacijos
3 049 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 0,475 € |
| 10+ | 0,388 € |
| 25+ | 0,372 € |
| 50+ | 0,355 € |
| 100+ | 0,339 € |
| 500+ | 0,319 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
0,48 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasVISHAY
Gamintojo detalės nr.VSMB1940X01
Užsakymo kodas1779752
Produktų asortimentasGaAlAs Double Hetero IR Diode
Techninės specifikacijos
Peak Wavelength940nm
Angle of Half Intensity60°
Diode Case Style0805
Radiant Intensity (Ie)6mW/Sr
Rise Time15ns
Fall Time tf15ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.35V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
Product RangeGaAlAs Double Hetero IR Diode
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktų apžvalga
The VSMB1940X01 is an infrared, 940nm emitting diode in GaAlAs Double Hetero technology with high radiant power and high speed, moulded in clear, untinted 0805 plastic package for surface mounting (SMD). It is suitable for use in high speed IR data transmission, high power emitter for low space applications, high performance transmissive or reflective sensors.
- Package form: 0805
- Dimensions (L x W x H in mm): 2 x 1.25 x 0.85
- Peak wavelength: λp = 940nm
- High radiant intensity
- Angle of half sensitivity: ϕ = ±60°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
Techniniai duomenys
Peak Wavelength
940nm
Diode Case Style
0805
Rise Time
15ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Angle of Half Intensity
60°
Radiant Intensity (Ie)
6mW/Sr
Fall Time tf
15ns
Forward Voltage VF Max
1.35V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
GaAlAs Double Hetero IR Diode
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos VSMB1940X01
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000191
Produkto kilmės atsekamumas