Spausdinti puslapį
BUJD203AX
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 425 V, 4 A, 26 W, TO-220F, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasWEEN SEMICONDUCTORS
Gamintojo detalės nr.BUJD203AX
Užsakymo kodas2075010
Techninės specifikacijos
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasWEEN SEMICONDUCTORS
Gamintojo detalės nr.BUJD203AX
Užsakymo kodas2075010
Techninės specifikacijos
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max425V
Continuous Collector Current4A
Power Dissipation26W
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min21hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Techniniai duomenys
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
4A
Transistor Case Style
TO-220F
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
21hFE
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Collector Emitter Voltage Max
425V
Power Dissipation
26W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Techniniai duomenys (1)
Susiję produktai
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00195