Spausdinti puslapį
PHE13003A,412
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400 V, 1 A, 2.1 W, SOT-54, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasWEEN SEMICONDUCTORS
Gamintojo detalės nr.PHE13003A,412
Užsakymo kodas1859370
Techninės specifikacijos
Nėra sandėlyje
Informacija apie produktą
GamintojasWEEN SEMICONDUCTORS
Gamintojo detalės nr.PHE13003A,412
Užsakymo kodas1859370
Techninės specifikacijos
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max400V
Continuous Collector Current1A
Power Dissipation2.1W
Transistor Case StyleSOT-54
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min7.5hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Techniniai duomenys
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
1A
Transistor Case Style
SOT-54
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
7.5hFE
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Collector Emitter Voltage Max
400V
Power Dissipation
2.1W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Techniniai duomenys (3)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000231