Spausdinti puslapį
PHE13009/DG,127
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400 V, 12 A, 80 W, TO-220AB, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasWEEN SEMICONDUCTORS
Gamintojo detalės nr.PHE13009/DG,127
Užsakymo kodas2075012
Techninės specifikacijos
289 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 0,943 € |
| 10+ | 0,723 € |
| 100+ | 0,494 € |
| 500+ | 0,413 € |
| 1000+ | 0,350 € |
| 5000+ | 0,271 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
0,94 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasWEEN SEMICONDUCTORS
Gamintojo detalės nr.PHE13009/DG,127
Užsakymo kodas2075012
Techninės specifikacijos
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max400V
Continuous Collector Current12A
Power Dissipation80W
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
Transition Frequency-
DC Current Gain hFE Min40hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Produktų apžvalga
The PHE13009 is a 400V high voltage, high speed planar passivated Silicon NPN Power Switching Transistor intended for use in high frequency electronic lighting ballast applications, converters, inverters, switching regulators and motor control systems.
- 150°C Junction temperature
- High voltage capability
- Low thermal resistance
- Low conduction losses due to low on-state resistance
Pritaikymas
Power Management, Motor Drive & Control, Lighting
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
12A
Transistor Case Style
TO-220AB
No. of Pins
3Pins
DC Current Gain hFE Min
40hFE
Product Range
-
MSL
-
Collector Emitter Voltage Max
400V
Power Dissipation
80W
Transistor Mounting
Through Hole
Transition Frequency
-
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Y-Ex
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00195