Spausdinti puslapį
WG40N120HFW1Q
IGBT, 80 A, 2.2 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasWEEN SEMICONDUCTORS
Gamintojo detalės nr.WG40N120HFW1Q
Užsakymo kodas4697770
Techninės specifikacijos
232 Sandėlyje
Reikia daugiau?
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 3,700 € |
| 10+ | 3,240 € |
| 100+ | 2,680 € |
| 500+ | 2,410 € |
| 1000+ | 2,220 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
3,70 € (be PVM)
eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasWEEN SEMICONDUCTORS
Gamintojo detalės nr.WG40N120HFW1Q
Užsakymo kodas4697770
Techninės specifikacijos
Continuous Collector Current80A
Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
Power Dissipation750W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
WG40N120HFW1Q is an IGBT. It uses advanced Fine Trench Field-stop IGBT technology with anti-parallel diode. This device is part of the high speed series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converter. Typical applications include solar inverter, UPS, welding converters, PFC and mid to high switching frequency applications.
- High switching speed, EMI improved design
- Positive temperature efficient for easy parallel operating
- Very soft, fast recovery anti-parallel diode
- Collector-emitter breakdown voltage is 1200V min at VGE = 0V; IC = 1mA
- Diode forward voltage is 2.3V typ at VGE = 0V; IF = 40A; Tj = 25°C
- Zero gate voltage collector current is 250μA max at VCE = 1200V; VGE = 0V; Tj = 25°C
- Gate charge is 200nC typ at VCC = 960V; IC = 40A; VGE = 15V;Tj = 25°C
- Turn-off delay time is 126nS typ at Tj = 25°C;VCC = 600V; IC = 40A; VGE = 15V / 0V;RG = 3.6ohm
- TO247 package
- Maximum operating junction temperature is 175°C
Techniniai duomenys
Continuous Collector Current
80A
Power Dissipation
750W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.2V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000001