Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
8 876 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
Kiekis | |
---|---|
5+ | 0,633 € |
50+ | 0,488 € |
100+ | 0,326 € |
500+ | 0,250 € |
1500+ | 0,220 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 5
Keli: 5
3,16 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.2SK2394-6-TB-E
Užsakymo kodas3368699
Techninės specifikacijos
Gate Source Breakdown Voltage Max15V
Zero Gate Voltage Drain Current Max20mA
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min10mA
Gate Source Cutoff Voltage Max1.5V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
Transistor TypeJFET
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktų apžvalga
2SK2394-6-TB-E is a 15V, CP, N-channel JFET. Suitable for AM tuner RF amplifier and low noise amplifier.
- Large (yfs) (38mS typ forward transfer admittance) at VDS = 5V, VGS = 0V, f = 1KHz
- Small Ciss
- Small sized package
- Ultralow noise figure
- 15V drain-to-source voltage and -15V gate-to-drain voltage
- 10 to 20mA drain current at VDS = 5 V, VGS = 0 V
- 38mS typ forward transfer admittance at VDS = 5V, VGS = 0V, f = 1KHz
- 200mW allowable power dissipation
- 150°C junction temperature
- 10pF input capacitance at VDS = 5V, VGS = 0V, f = 1MHz
Techniniai duomenys
Gate Source Breakdown Voltage Max
15V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
10mA
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
Channel Type
N Channel
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Zero Gate Voltage Drain Current Max
20mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3 Pin
Transistor Type
JFET
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0004
Produkto kilmės atsekamumas