Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Galima užsakyti
Gamintojo nustatyta įprastinė užsakymo ciklo trukmė: 22 sav.
Pranešti man, kai bus sandėlyje
Kiekis | |
---|---|
3000+ | 0,177 € |
9000+ | 0,173 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Full Reel)
Minimalus: 3000
Keli: 3000
531,00 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.2SK2394-6-TB-E
Užsakymo kodas4319863
Techninės specifikacijos
Gate Source Breakdown Voltage Max15V
Zero Gate Voltage Drain Current Max20mA
Gate Source Cutoff Voltage Max1.5V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Techniniai duomenys
Gate Source Breakdown Voltage Max
15V
Gate Source Cutoff Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3 Pin
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Zero Gate Voltage Drain Current Max
20mA
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
-
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0004
Produkto kilmės atsekamumas