Spausdinti puslapį
ARE6-85C1-0JL00
Infrared Emitter, 855 nm, 25 °, DFN, 1.4 W/Sr
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasBROADCOM
Gamintojo detalės nr.ARE6-85C1-0JL00
Užsakymo kodas4060297RL
Techninės specifikacijos
Galima užsakyti
Gamintojo nustatyta įprastinė užsakymo ciklo trukmė: 32 sav.
| Kiekis | |
|---|---|
| 5000+ | 1,360 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 5000
Keli: 5000
6 805,00 € (be PVM)
5,00 € pervyniojimo mokestis bus pridėtas šiam produktui
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasBROADCOM
Gamintojo detalės nr.ARE6-85C1-0JL00
Užsakymo kodas4060297RL
Techninės specifikacijos
Peak Wavelength855nm
Angle of Half Intensity25°
Diode Case StyleDFN
Radiant Intensity (Ie)1.4W/Sr
Rise Time-
Fall Time tf-
Forward Current If(AV)1A
Forward Voltage VF Max2V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max120°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
ARE6-85C1-0JL00 is a Broadcom® high-power IR LED with 855nm peak wavelength, appropriate for specific devices, such as infrared illumination, surveillance systems, CCTV, and gesture recognition. Packaged in a 3.45mm × 3.45mm surface-mount platform, together with viewing angles of 50° lens optics options, the high-power IR LED is suitable for a wide variety of applications. The package is compatible with the reflow soldering process. Typical applications include light curtain, infrared illumination for cameras, surveillance systems, machine vision systems and eye tracking systems.
- High power infrared emitting diode
- High radiant intensity, high radiant power
- Low forward voltage
- Typical viewing angle is 50°
- Compatible with industrial reflow soldering process
- 1400mW/sr radiant intensity, Ie
- 780mW radiant flux
- Typical forward voltage of 1.70V
- Operating temperature range from -40 to +120°C
Techniniai duomenys
Peak Wavelength
855nm
Diode Case Style
DFN
Rise Time
-
Forward Current If(AV)
1A
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Angle of Half Intensity
25°
Radiant Intensity (Ie)
1.4W/Sr
Fall Time tf
-
Forward Voltage VF Max
2V
Operating Temperature Max
120°C
Product Range
-
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Taiwan
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Taiwan
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000001
Produkto kilmės atsekamumas