Spausdinti puslapį
IRL3705NPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRL3705NPBF
Užsakymo kodas8651019
Taip pat žinoma kaipSP001578520
Techninės specifikacijos
937 Sandėlyje
Reikia daugiau?
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 1,830 € |
| 10+ | 1,530 € |
| 100+ | 1,060 € |
| 500+ | 0,884 € |
| 1000+ | 0,839 € |
| 5000+ | 0,729 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
1,83 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRL3705NPBF
Užsakymo kodas8651019
Taip pat žinoma kaipSP001578520
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id77A
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation130W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
- Single N-channel HEXFET® power MOSFET
- Advanced process technology
- Logic level gate drive
- Dynamic dv/dt rating
- Fast switching
- Fully avalanche rated
- Planar cell structure for wide SOA
- Product qualification according to JEDEC standard
- High-current carrying capability package (up to 195A, die-size dependent)
- Capable of being wave-soldered
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
77A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
130W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos IRL3705NPBF
Rasta produktų: 1
Susiję produktai
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.002
Produkto kilmės atsekamumas